Memoria RAM

Memoria RAM

Son las siglas de random access memory, un tipo de memoria de ordenador a la que se puede acceder aleatoriamente; es decir, se puede acceder a cualquier byte de memoria sin acceder a los bytes precedentes. La memoria RAM es el tipo de memoria más común en ordenadores y otros dispositivos como impresoras.

Almacenamiento de la memoria RAM

Se almacenan en 6 partes

Almacenamiento primario

 La memoria primaria está directamente conectada a la cpu de la computadora. Debe estar presente para que la cpu funcione correctamente. El almacenamiento primario consiste en tres tipos de almacenamiento:

·       Los del procesador son internos de la cpu. Técnicamente, es el sistema más rápido de los distintos tipos de almacenamientos de la computadora, siendo transistores de conmutación integrados en el chip de silicio del microprocesador  cpu que funcionan como flip-flop electrónicos.

·       La memoria caché es un tipo especial de memoria interna usada en muchas CPU para mejorar su eficiencia o rendimiento. Parte de la información de la memoria principal se duplica en la memoria caché.

·       La memoria principal contiene los programas en ejecución y los datos con que operan. Se puede transferir información muy rápidamente entre un registro del microprocesador y localizaciones del almacenamiento principal.

Almacenamiento secundario

Requiere que la computadora use sus canales de entrada y salida para acceder a la información y se utiliza para almacenamiento a largo plazo de información persistente. Sin embargo, la mayoría de los sistemas operativos usan los dispositivos de almacenamiento secundario como área de intercambio para incrementar artificialmente la cantidad aparente de memoria principal en la computadora.

 

Almacenamiento terciario

Es un sistema en el que un brazo robótico montará  o desmontará un medio de almacenamiento masivo fuera de línea según lo solicite el sistema operativo de la computadora.

Almacenamiento de red

Es cualquier tipo de almacenamiento de computadora que incluye el hecho de acceder a la información a través de una red informática.

ESTRUCTURA FÍSICA DE LA MEMORIA

La estructura física, va a depender del tipo de la memoria  RAM.

DRAM: aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos últimos de 30 contactos.
Fast Page (FPM): aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).

EDO: aparece como SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.

SDRAM: se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es usada en los Pentium II de menos de 350 MHz y en los Celeron.

VOLATIL Y ALEATORIA: La memoria RAM es volátil porque una vez apagado el equipo toda la información en ella se borra. Esta memoria es como solo un acceso rápido se usa mientras el equipo esta encendido. Y aleatoria porque toda la información que guarda esta en desorden no como el disco duro que la información que tiene esta en su respectivo orden. 

SINCRONAS Y ASÍNCRONAS

 Existen dos formas en que la RAM puede trabajar: síncrona o asíncrona, en función de si trabaja a la misma frecuencia que el FSB o no. Nuevamente, ésta configuración se determina mediante la BIOS de la placa base:

     

Cuando la proporción entre el FSB y la RAM sea de 1 a 1,esto es, 1:1 .... 6:6 (o 100% en algunas placas base), se dice que está en modo síncrona y es cuando más rendimiento obtendremos pues no se producirán 'cuellos de botella' entre microprocesador y memoria: a medida que se vayan accediendo a  los datos de la memoria éstos irán siendo procesados por el microprocesador. Dejaremos la opción del modo asíncrono para cuando no nos quede más remedio, es decir, cuando la memoria RAM no nos permita trabajar a la misma velocidad que el FSB de nuestro microprocesador; para ello seleccionaremos la relación más conveniente FSB/MEM. Así, un factor 5/4 indica que la RAM correrá  a cuatro quintas partes (80%) de lo que lo hace el FSB.

Una memoria RAM síncrona utiliza DFFs en los insumos (control y datos) y salidas (datos de salida).Esto significa que las entradas sólo se muestra en los bordes de reloj activo, y los cambios de salida se producen en los bordes de reloj. Una memoria RAM asíncrona  tiene entradas de nivel de sensibilidad. Obviamente, una memoria RAM síncrona tendrá una entrada de reloj.

Módulos de memoria RAM

Modulo SIMM: Formato usado en computadores antiguos. Tenían un bus de datos de 16 o 32 bits.

Modulo DIMM: Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.

Modulo SIPP: Casa Pin en línea de paquetes similares a los SIMM pero con pines en lugar de los contactos.

Modulo RIMM: hay RIMM de doble cara o de una cara, y pueden tener cualquier número de chips hasta el máximo de 32 soportados por canal. Hay módulos de 64Mb, 128Mb y 256Mb, la máxima cantidad total de memoria va desde los 64Mb hasta 1Gb por canal.

Modulo DIP: un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.








1. Memorias asíncronas:


DRAM: (Memoria dinámica de acceso aleatorio)indica la necesidad de "recordar" los datos a la memoria cada cortos periodos de tiempo para impedir que esta pierda la información. Eso se llama Refresco. Cuando se pierde la alimentación la memoria pierde todos los datos."De acceso aleatorio " indica que cada posición de memoria puede ser leída o escrita en cualquier orden. Lo contrario seria el acceso secuencial, en el cual los datos tienen que ser leídos o escritos en un orden predeterminado. 


FPM-RAM:


EDO-RAM:La memoria de salida de datos extendida es más rápida que la memoria FPM. La ventaja de la memoria EDO es que mantienen los datos en la salida hasta el siguiente acceso a memoria. Esto permite al procesador ocuparse de otras tareas sin tener que atender a la lenta memoria.


BEDO-RAM: (Ráfaga extendido salida de datos)
Es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado ‘pipeline’ que solapa las operaciones. Fue diseñada originalmente para soportar mayores velocidades de BUS. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, como la anterior, sino a ráfagas (bursts), reduciendo, aunque no suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer datos de memoria. Poco extendida, compite en prestaciones con la SDRAM.



2. Memorias sincronas


SDR SDRAM:         

PC66:consulta interna estándar de memoria extraíble equipo definido por la JEDEC.PC66 es síncrono DRAM de funcionamiento a una frecuencia de reloj de 66,66 MHz,en un bus de 64 bits, a una tensión de 3,3 V. 66 PC está disponible en el pin DIMM de168 pines y 144 factores de forma SO-DIMM. El ancho de banda teórico es 533 MB /s.

PC100:es un estándar para acceder a la memoria interna extraíble equipo al azar, definidospor el Joint Electron dispositivo Consejo de Ingeniería (JEDEC). PC100 consultaDRAM síncrona de funcionamiento a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un busde 64 bits de ancho, a una tensión de 3,3 V. PC 100 está disponible en módulos DIMM de 168 pines y 144 pines factores de forma SO-DIMM. PC100 es compatiblecon PC66.Un módulo de construcción de 100 chips SDRAM MHz no es necesariamente capazde funcionar a 100 MHz. El estándar PC100 especifica las capacidades del módulo de memoria en su conjunto. PC100 se utiliza en muchos ordenadores más antiguos;ordenadores de todo el decenio de 2000 fueron los equipos más comunes con la memoria PC100.

PC133:es un estándar de memoria del equipo definido por la JEDEC. PC133 consultaDRAM síncrona de funcionamiento a una frecuencia de reloj de 133 MHz, en un busde 64 bits de ancho, a una tensión de 3,3 V. PC 133 está disponible en el pin DIMM de 168 pines y 144 factores de forma SO-DIMM. PC133 SDRAM es el estándar más rápido y última vez aprobado por el JEDEC, y ofrece un ancho de banda de 1066 MBpor segundo ([133,33 MHz * 64 / 8] = 1066 MB / s). PC133 es compatible con PC100y PC66.

• DDR SDRAM:Doble velocidad de datos sincrónicos de memoria dinámica de acceso aleatorio (DDR SDRAM) es una clase de circuitos de memoria integrada que se utiliza en las computadoras. DDR SDRAM (a veces referido como DDR1 SDRAM) ha sido reemplazado por SDRAM DDR2 y DDR3 SDRAM, ninguno de los cuales son ya seahacia adelante o hacia atrás compatible con DDR SDRAM, lo que significa que los módulos de memoria DDR2 o DDR3 no va a funcionar en placas base DDR equipada, y viceversa a la inversa.

PC1600 o DDR200: ECC Registrada 184pin CL2 DIMM de perfil bajo Memoria PCW garantiza a todos los compraste la memoria a través de nuestro Configurador de memoria para ser 100% compatible con el sistema.
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y la memoria de Apple.

PC2100 o DDR266

PC2100 DDR266 de 184 pines Memoria UDIM, MemoryTen es un líder en la memoria PC2100 DDR 266 184 mercado actualizaciónalfiler. PC ofrece fiable 2100 266 actualizaciones de memoria desde 256 MB, 512MBy 1GB.

PC2700 o DDR333:es un veterano cuando se trata de periféricos de ordenador. Si tiene el logo deKingston, el que básicamente estás seguro de un producto de calidad.

Al igual que Crucial, Kingston esperaba JEDEC para aprobar un estándar DDR333antes de que comenzó a vender la memoria DDR333. ¿Por qué es eso? La empresa A puede pretender vender de memoria DDR333, pero que la memoria no puede pasar las pruebas de memoria DDR333 de la empresa "B". Ahora, con una normaoficial, todos los módulos de memoria tienen que pasar las mismas pruebas para llevar el sello oficial o DDR333 PC2700.

PC3200 o DDR400: De 184 pines de actualización UDIMM DIMM no ECC MemoryTen es un líder en la memoria PC3200 DDR-400, (DDR400) del mercado de actualización de 184 pines. Ofreciendo confiable PC-3200 400MHz actualizacionesde memoria que van desde 256MB, 512MB y 1GB.

PC-4200 o DDR2-533:

PC-4800 o DDR2-600:

PC-5300 o DDR2-667:

PC-6400 o DDR2-800:

DDR3:

3. RDRAM:es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM.


XDR-DRAM: (extrema velocidad de datos dinámicas de acceso aleatorio memoria) es una implementación de alto desempeño de las DRAM , el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM  y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño.


XDR2-DRAM: memoria de acceso aleatorio que utiliza un núcleo tradicional de 8 bancos de DRAM CMOS, con modos de operación estándar y micro-hilado.

4.DRDRAM:una arquitectura de memoria RAM totalmente nuevo, concontrol del bus (el Rambus Channel Master) y una nueva vía (el Canal de Rambus)entre los dispositivos de memoria (el Canal de Rambus esclavos). Un solo canalRambus tiene el potencial de llegar a los 500 Mbps en modo de ráfaga, un 20 -aumento de veces más memoria RAM.


5.SLDRAM:estaba destinado a ser una versión mejorada de SDRAM que utiliza un bus multiplexado para transferirdatos hacia y desde los chips en lugar de configuración de pines fijos. Que estaba destinado a competir con RDRAM como una arquitectura de memoria de la PC futuro, pero nunca ganó amplia aceptación.


6.SRAM:( memoria Estática de acceso aleatorio)

 es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM , es capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de circuito de refresco (no se descargan). Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.



Async SRAM: 8Mbit Async SRAM de alta velocidad
con una baja corriente.Estos de alta velocidad, dispositivos de baja potencia operar en el rango de 3.3V. Son fabricados utilizando 0.15micron de alto rendimientotecnología CMOS. Este proceso muy fiable, junto con innovadoras técnicas de diseño de circuitos rendimientos de alto rendimiento y dispositivos de bajo consumo de energía. El x16 (IS61LV51216) y x8 (IS61LV10248) configuraciones de función de alto rendimiento con los tiempos de acceso de alta velocidad de 8ns, bajo consumo de energía con la operación de corriente típica de 90mA, y 5 mA de corriente de espera a menos de. Estos dispositivos están destinados a aplicaciones en red /banda ancha, los consumidores digitales, las comunicaciones móviles, y los mercados del automóvil.



Pipelined SRAM


7.EDRAM:"DRAM integrado", basado en un condensador de memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en el mismo chip como un ASIC o el procesador. Elcoste por bit es mayor que el de los chips DRAM independientes, pero en muchas aplicaciones, las ventajas de rendimiento de la colocación de la eDRAM en el mismo chip que el procesador supera la desventaja de costes en comparación con una memoria externa.



8.ESDRAM: Para superar algunos de los problemas de latencia inherentes con los módulos de memoria
DRAM standar, varios fabricantes han incluido una cantidad pequeña de SRAM directamente en el chip, eficazmente
creando un caché en el chip. Permite tiempos de latencia más bajos y funcionamientos de 200 mhz. La SDRAM oficia
como un caché dentro de la memoria. Existe actualmente un chipset que soporta este tipo de memoria, un chipset de
socket 7.Una de las desventajas de estas memorias es que su valor es 4 veces mayor al de la memoria DRAM.





9.VRAM: (Vídeo Memoria de Acceso Aleatorio)
es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU  del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor  en cada momento.


10.SGRAM:es un tipo especializado de SDRAM  para adaptadores gráficos. Agrega mejoras como bitmasking  (escribir en un bit específico sin afectar a otros) y block write (rellenar un bloque de memoria con un único color). A diferencia de la VRAMy la WRAM, SGRAM es de un solo puerto. De todas maneras, puede abrir dos páginas de memoria como una, simulando el doble puerto que utilizan otras tecnologías RAM.

11.WRAM:una estación de radio (1330 AM) con licencia de Monmouth, Illinois, Estados Unidos